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CY7C1019B-12VC、IS61C1024-12K、CY7C1019D-10VXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1019B-12VC IS61C1024-12K CY7C1019D-10VXI

描述 128K ×8静态RAM 128K x 8 Static RAM128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAMCYPRESS SEMICONDUCTOR  CY7C1019D-10VXI  芯片, 存储器, SRAM, 1Mb, 并行口, 10NS, SOJ-32

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 BSOJ-32 SOJ BSOJ-32

引脚数 - - 32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 12.0 GHz - -

存取时间 12.0 ns - 10 ns

内存容量 1000000 B - 125000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V

供电电流 - - 80 mA

针脚数 - - 32

位数 - - 8

存取时间(Max) - - 10 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

封装 BSOJ-32 SOJ BSOJ-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Bulk - Each

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - 3A991.b.2.b