CY7C1425KV18-300BZC、CY7C1426KV18-300BZXC对比区别

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型号 CY7C1425KV18-300BZC CY7C1426KV18-300BZXC

描述 36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR ？ II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 4-Word Burst Architecture

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 LBGA-165 FBGA-165

时钟频率 - 300 MHz

位数 - 9

存取时间(Max) - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

存取时间 0.45 ns -

电源电压(Max) 1.9 V -

电源电压(Min) 1.7 V -

高度 0.89 mm 0.89 mm

封装 LBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free