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1N751C-1E3TR、JANTXV1N751C-1、1N751C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N751C-1E3TR JANTXV1N751C-1 1N751C

描述 DO-35 5.1V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESLeaded Zener Diode General Purpose

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

耗散功率 500 mW - -

稳压值 5.1 V 5.1 V -

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Obsolete Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -