IRFS3806TRLPBF、IRFZ48RSPBF、STB55NF06T4对比区别

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型号 IRFS3806TRLPBF IRFZ48RSPBF STB55NF06T4

描述 MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22NC Qg功率MOSFET Power MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 15.8 mΩ 18 mΩ 0.015 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 71 W 190 W 110 W

产品系列 IRFS3806 - -

输入电容 1150pF @50V - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60.0 V 60 V

输入电容(Ciss) 1150pF @50V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 71 W - 110 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 50.0 A

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 3 V

漏源击穿电压 - - 60.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 50.0 A 50.0 A

上升时间 - 250 ns 50 ns

下降时间 - 250 ns 15 ns

耗散功率(Max) - 190W (Tc) 110W (Tc)

长度 10.67 mm - 10.4 mm

宽度 9.25 mm - 9.35 mm

高度 4.83 mm - 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99