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ULN2001D1、ULN2001D1013TR、ULN2001AD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2001D1 ULN2001D1013TR ULN2001AD

描述 七达林顿阵列 Seven darlington arraySTMICROELECTRONICS  ULN2001D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 双极性晶体管接口芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 -

封装 SOP SOIC-16 SOIC

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -20 ℃ -

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 500 mA -

输出接口数 - 7 -

针脚数 - 16 -

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 -

输出电流(Max) - 500 mA -

直流电流增益(hFE) - 1000 -

封装 SOP SOIC-16 SOIC

长度 - 10 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.65 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -