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SPW15N60C3、STW19NM65N、FCA16N60_F109对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPW15N60C3 STW19NM65N FCA16N60_F109

描述 INFINEON  SPW15N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 VSTW19NM65N系列 N沟道 650 V 0.27 Ohm MDmesh 功率MOSFET - TO-247-3600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3

引脚数 3 - -

漏源极电阻 0.25 Ω - 220 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 156 W 150W (Tc) 167W (Tc)

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 15.5A 16.0 A

输入电容(Ciss) 1660pF @25V(Vds) 1900pF @50V(Vds) 2250pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 156W (Tc) 150W (Tc) 167W (Tc)

额定功率(Max) 156 W 150 W -

额定电压(DC) 650 V - -

额定电流 15.0 A - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

阈值电压 3 V - -

输入电容 2.40 nF - -

栅电荷 114 nC - -

漏源击穿电压 600 V - -

上升时间 5 ns - -

下降时间 5 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3

长度 16.13 mm - -

宽度 5.21 mm - -

高度 21.1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99