BSM200GAL120DN2、FD150R12RT4、GP200MLS12对比区别

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型号 BSM200GAL120DN2 FD150R12RT4 GP200MLS12

描述 IGBT功率模块（单联开关与断路器二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Package with insulated metal base plate)INFINEON  FD150R12RT4  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kVIGBT Chopper Module Preliminary Information

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Dynex

分类 IGBT晶体管

封装 HB 200GAL - -

安装方式 - Screw -

引脚数 - 5 -

耗散功率 1.4 kW 790 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

额定功率 - 790 W -

针脚数 - 5 -

极性 - N-Channel -

击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V -

输入电容(Cies) - 9.3nF @25V -

额定功率(Max) - 790 W -

长度 106.4 mm - -

宽度 61.4 mm - -

高度 30.9 mm - -

封装 HB 200GAL - -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ -