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MUR320S V7G、MUR320S V6G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUR320S V7G MUR320S V6G

描述 DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB二极管

数据手册 --

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AB DO-214AB

引脚数 2 -

反向恢复时间 25 ns 25 ns

正向电压 875 mV -

正向电流 3000 mA -

正向电流(Max) 3 A -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 DO-214AB DO-214AB

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准

含铅标准 无铅 无铅