JAN1N5518B、JANTX1N5518B-1、1N5518B对比区别

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型号 JAN1N5518B JANTX1N5518B-1 1N5518B

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode, 3.3V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, DO-7, GLASS PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-35-2 -

引脚数 - 2 -

耗散功率 500 mW 417 mW -

稳压值 3.3 V 3.3 V -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

测试电流 - 20 mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35-2 -

长度 - 5.08 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Bulk Bulk -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -