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IRF7907TRPBF、STS8DNF3LL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7907TRPBF STS8DNF3LL

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8Pin SOIC T/RSTS8DNF3LL 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ω 12.5 nC STripFET™ II Mosfet- SOIC-8

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 30.0 V

额定电流 - 8.00 A

漏源极电阻 - 0.02 Ω

极性 Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2 W

阈值电压 - 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V

栅源击穿电压 - ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) - 8.00 A

上升时间 - 32 ns

输入电容(Ciss) 850pF @15V(Vds) 800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 1.6 W

下降时间 - 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW

产品系列 IRF7907 -

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm -

高度 1.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17