IXFH30N50Q3、IXFT30N50Q3、2SK3702对比区别

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型号 IXFH30N50Q3 IXFT30N50Q3 2SK3702

描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备MOSFET N-CH 60V 18A TO-220ML

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Sanyo Semiconductor (三洋)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-220-3

额定功率 - - 20 W

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 690W (Tc) 690W (Tc) 20.0 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 30A 30A 18.0 A

输入电容(Ciss) 3200pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds) 775pF @20V(Vds)

额定功率(Max) - - 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 690W (Tc) 690W (Tc) -

通道数 1 - -

上升时间 14 ns - -

下降时间 9 ns - -

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-220-3

长度 16.26 mm 16.05 mm -

宽度 5.3 mm 14 mm -

高度 16.26 mm 5.1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free