IRLR2905ZTRLPBF、IRLR2905ZTRPBF、IRLR2905ZPBF对比区别
型号 IRLR2905ZTRLPBF IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZPBF
描述 N沟道 55V 42AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRLR2905ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 13.5 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 110 W 110 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 60A 60A 60A
上升时间 130 ns 130 ns 130 ns
输入电容(Ciss) 1570pF @25V(Vds) 1570pF @25V(Vds) 1570pF @25V(Vds)
下降时间 33 ns 33 ns 33 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
额定功率 - 110 W 110 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 13.5 mΩ 0.0135 Ω
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源击穿电压 - 55 V -
额定功率(Max) - 110 W -
长度 6.5 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17