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IR4426S、IR4427SPBF、IR4426SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR4426S IR4427SPBF IR4426SPBF

描述 MOSFET DRVR 3.3A 2Out Lo Side Inv 8Pin SOICMOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)INFINEON  IR4426SPBF  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 6V-20V电源, 3.3A输出, 65ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 20.0V (max) - 6.00V (min)

上升/下降时间 15ns, 10ns 15ns, 10ns 15ns, 10ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 - 20 V 6.20 V

输出电流 - 2.3 A 1.5 A

通道数 - 2 2

针脚数 - - 8

耗散功率 625 mW 0.625 W 625 mW

上升时间 - 35ns (Max) 35 ns

输入偏置电流 - - 15 µA

下降时间 - 25ns (Max) 25 ns

下降时间(Max) 25 ns 25 ns 25 ns

上升时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

电源电压 6V ~ 20V 6V ~ 20V 6V ~ 20V

电源电压(Max) - 20 V 20 V

电源电压(Min) - 6 V 6 V

产品系列 IR4426 - -

工作电压 - 6V ~ 20V -

额定功率 - 625 mW -

供电电流 - 1500 μA -

热阻 - 200℃/W (RθJA) -

长度 - 5 mm 4.98 mm

宽度 - 4 mm 3.99 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99