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AS6C8016-55BIN、AS6C8016-55BINTR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS6C8016-55BIN AS6C8016-55BINTR

描述 静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

数据手册 --

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48

封装 TFBGA-48 LFBGA-48

电源电压(DC) 2.70V (min) -

工作电压 2.7V ~ 5.11V 2.7V ~ 5.12V

存取时间 55 ns 55 ns

内存容量 1000000 B -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V

封装 TFBGA-48 LFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 -