SI7682DP-T1-GE3、SI7686DP-T1-E3、SI7888DP-T1-E3对比区别

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型号 SI7682DP-T1-GE3 SI7686DP-T1-E3 SI7888DP-T1-E3

描述 MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SO-8 PowerPAKSO-8

引脚数 8 - 8

耗散功率 5W (Ta), 27.5W (Tc) 5W (Ta), 37.9W (Tc) 1.8 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 1595pF @15V(Vds) 1220pF @15V(Vds) -

耗散功率(Max) 5W (Ta), 27.5W (Tc) 5W (Ta), 37.9W (Tc) 1.8W (Ta)

漏源极电阻 - - 0.02 Ω

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

极性 N-Channel - -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A - -

封装 SO-8 SO-8 PowerPAKSO-8

长度 - - 5.99 mm

高度 - - 1.07 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free