STP19NM50N、STP6N120K3、STP90N55F4对比区别

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型号 STP19NM50N STP6N120K3 STP90N55F4

描述 N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP6N120K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 VTO-220 N-CH 55V 90A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.2 Ω 1.95 Ω 6.4 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 110 W 150 W 150 W

阈值电压 3 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 500 V 1.2 kV 55 V

上升时间 16 ns - 60 ns

输入电容(Ciss) 1000pF @50V(Vds) 1050pF @100V(Vds) 4800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 150 W 150 W

下降时间 17 ns - 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)

连续漏极电流(Ids) - 6A 90A

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 55 V

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

高度 15.75 mm 14.9 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -