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JAN2N3715、JANTXV2N3715、JAN2N3716对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3715 JANTXV2N3715 JAN2N3716

描述 NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-3 TO-3 TO-3

耗散功率 5000 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @3A, 2V 30 @3A, 2V 30 @3A, 2V

额定功率(Max) 5 W 5 W 5 W

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 5000 mW - 5000 mW

封装 TO-3 TO-3 TO-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tray Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准