PH5330E,115、PSMN6R0-30YL、PSMN6R0-30YL,115对比区别

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型号 PH5330E,115 PSMN6R0-30YL PSMN6R0-30YL,115

描述 NXP  PH5330E,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 5.7 mohm, 10 V, 1.7 VNXP  PSMN6R0-30YL  晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 30 V, 4.26 mohm, 10 V, 1.7 VN沟道,Vdss=30V,Idss=79A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669-4

针脚数 4 4 -

漏源极电阻 5.7 mΩ 0.00426 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 62.5 W 55 W 55 W

阈值电压 1.7 V 1.7 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 73.0 A 79.0 A

上升时间 22 ns - -

输入电容(Ciss) 2010pF @10V(Vds) - 1425pF @12V(Vds)

额定功率(Max) 62.5 W - 55 W

下降时间 13 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 62.5W (Tc) - 55W (Tc)

通道数 - - 1

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669-4

宽度 - - 4.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

香港进出口证 - NLR -