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IS61WV5128BLL-10KLI、IS61WV5128EDBLL-10KLI、CY7C1049DV33-10VXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61WV5128BLL-10KLI IS61WV5128EDBLL-10KLI CY7C1049DV33-10VXI

描述 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K X 8,8ns/3.3V,or 10ns,2.4V-3.6V,36Pin SOJ (400mil), LeadfreeSRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 36Pin SOJCYPRESS SEMICONDUCTOR  CY7C1049DV33-10VXI  芯片, 存储器, SRAM, 4MB, 并行口, 10NS, 36SOJ

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 36 36 36

封装 BSOJ-36 SOJ-36 SOJ-36

位数 8 8 8

存取时间 10 ns 10 ns 10 ns

存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 - - 90 mA

针脚数 - - 36

时钟频率 - - 10.0 GHz

内存容量 - - 500000 B

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

封装 BSOJ-36 SOJ-36 SOJ-36

长度 - - 23.62 mm

宽度 - - 10.29 mm

高度 - - 2.29 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tray Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 3A991.b.2.b