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DSB10I45PM、DSEP12-12A、STTH812FP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DSB10I45PM DSEP12-12A STTH812FP

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  DSB10I45PM  小信号肖特基二极管, 单, 45 V, 10 A, 530 mV, 110 A, 150 °CIXYS SEMICONDUCTOR  DSEP12-12A  快速/超快功率二极管, 单, 1.2 kV, 15 A, 1.79 V, 40 ns, 90 ASTMICROELECTRONICS  STTH812FP  快速/超快二极管, 单, 1.2 kV, 8 A, 1.25 V, 50 ns, 80 A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 肖特基二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

额定电压(DC) - 1.20 kV 1.20 kV

额定电流 - 15.0 A 8.00 A

输出电流 - ≤15.0 A ≤8.00 A

正向电压 560mV @10A 2.75V @15A 1.25 V

极性 - Standard Standard

热阻 - - 5.4℃/W (RθJC)

反向恢复时间 - 40 ns 100 ns

正向电流 10 A 15 A 8 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 110 A 90 A 80 A

正向电压(Max) 530 mV 2.75V @15A 1.25 V

正向电流(Max) 10 A 15 A 8 A

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

工作结温 - - 175℃ (Max)

工作结温(Max) - - 175 ℃

针脚数 2 - -

耗散功率 30 W 95 W -

耗散功率(Max) 30000 mW 95000 mW -

负载电流 - 15 A -

长度 - 10.66 mm 10.4 mm

宽度 - 4.82 mm 4.6 mm

高度 - 16.51 mm 16.4 mm

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - ECL99 -