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BUK9620-55A、BUK9620-55A,118对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9620-55A BUK9620-55A,118

描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETN沟道 VDS=55V VGS=±10V ID=54A P=118W

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 主动器件MOS管

基础参数对比

封装 TO-263 TO-263-3

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-263 TO-263-3

长度 - 10.3 mm

宽度 - 9.4 mm

高度 - 4.5 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

通道数 - 1

漏源极电阻 - 18 mΩ

耗散功率 - 118 W

输入电容 - 1660 pF

漏源极电压(Vds) - 55 V

漏源击穿电压 - 55 V

上升时间 - 124 ns

输入电容(Ciss) - 2210pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 118 W

下降时间 - 93 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 118W (Tc)

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)