BSC014N04LSIATMA1、IPC100N04S51R2ATMA1、BSC016N04LSGATMA1对比区别
型号 BSC014N04LSIATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 BSC016N04LSGATMA1
描述 INFINEON BSC014N04LSIATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2 V晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.8 VINFINEON BSC016N04LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0012 Ω 0.001 Ω 0.0013 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 96 W 150 W 139 W
阈值电压 2 V 2.8 V 2 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 31A 100A 31A
上升时间 50 ns 7 ns 7.6 ns
输入电容(Ciss) 4000pF @20V(Vds) 7650pF @25V(Vds) 8900pF @20V(Vds)
下降时间 11 ns 15 ns 9.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 150W (Tc) 139 W
额定功率 96 W - -
长度 5.9 mm - 5.35 mm
宽度 5.15 mm - 6.1 mm
高度 1.27 mm - 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -