STP25NM60ND、STP28N60DM2、IPW60R165CP对比区别

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型号 STP25NM60ND STP28N60DM2 IPW60R165CP

描述 N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP28N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.13 Ω 0.13 Ω 0.15 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 160 W 170 W 192 W

阈值电压 4 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 21A 21.0 A

上升时间 30 ns 7.3 ns -

输入电容(Ciss) 2400pF @50V(Vds) 1500pF @100V(Vds) 2000pF @100V(Vds)

下降时间 40 ns 9.3 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 160W (Tc) 170W (Tc) 192W (Tc)

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 21.0 A

通道数 - - 1

输入电容 - - 2.00 nF

栅电荷 - - 52.0 nC

额定功率(Max) 160 W - 192 W

长度 10.4 mm 10.4 mm 16.13 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 5.21 mm

高度 15.75 mm 15.75 mm 21.1 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - NLR