TN2640N3-G、TP2540N3-G、TN2540N3-G对比区别

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型号 TN2640N3-G TP2540N3-G TN2540N3-G

描述 TO-92 N-CH 400V 0.22ATO-92P-CH 400V 0.086A晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 175 mA, 400 V, 8 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

额定功率 0.74 W 0.74 W 1 W

极性 N-CH P-CH N-CH

耗散功率 0.74 W 0.74 W 1 W

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

连续漏极电流(Ids) 0.22A 0.086A 0.175A

上升时间 15 ns 10 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 225pF @25V(Vds) 125pF @25V(Vds) 125pF @25V(Vds)

下降时间 22 ns 13 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 740mW (Ta) 740mW (Ta) 1W (Ta)

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 8 Ω

阈值电压 - - 2 V

长度 5.21 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Bag Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅