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CY62157EV30LL-45BVXI、CY62157EV30LL-45BVXIT、CY62157DV30LL-55BVXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62157EV30LL-45BVXI CY62157EV30LL-45BVXIT CY62157DV30LL-55BVXI

描述 SRAM 8 Mb (512 K x 16) 3 V 超低待机和有功功率 48-VFBGA 工业温度SRAM, MoBL®, 8 Mbit, 512K x 16位, 2.2V 至 3.6V, VFBGA, 48 引脚, 45 ns8兆位( 512K ×16 )的MoBL静态RAM 8-Mbit (512K x 16) MoBL Static RAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 VFBGA-48

引脚数 48 48 -

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.00 V, 3.60 V (max)

电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V

频率 1.00 MHz - -

时钟频率 1 MHz 45.0 GHz -

位数 16 16 -

存取时间 45 ns 45 ns -

内存容量 1000000 B 8000000 B -

存取时间(Max) 45 ns 45 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

供电电流 - 25 mA -

针脚数 - 48 -

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 VFBGA-48

长度 6 mm - -

宽度 8 mm - -

高度 0.79 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a -