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MPLAD30KP26A、MXLPLAD30KP26A、MXLPLAD30KP26AE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPLAD30KP26A MXLPLAD30KP26A MXLPLAD30KP26AE3

描述 TVS DIODE 26V 43V PLADTVS 30kW UNIDIRECT PLADTVS 30kW UNIDIRECT PLAD

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SMD SMD SMD

引脚数 2 - -

脉冲峰值功率 30000 W 30000 W 30000 W

最小反向击穿电压 28.9 V 28.9 V 28.9 V

钳位电压 43 V - -

测试电流 5 mA - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -

封装 SMD SMD SMD

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free