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NTD32N06LT4、NTD32N06LT4G、NTD32N06LG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTD32N06LT4 NTD32N06LT4G NTD32N06LG

描述 功率MOSFET 32安培, 60伏特,逻辑电平( N沟道DPAK ) Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts, Logic Level(N−Channel DPAK)32A,60V功率MOSFET功率MOSFET 32安培, 60伏 Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 60.0 V 24.0 V 60.0 V

额定电流 32.0 A 30.0 A 32.0 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 23.7 mΩ 23.7 mΩ 23.7 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 93.8 W 93.75 W 93.75 W

输入电容 - - 1.72 nF

栅电荷 - - 60.0 nC

漏源极电压(Vds) 60.0 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 32.0 A 32.0 A 32.0 A

上升时间 221 ns 221 ns 221 ns

输入电容(Ciss) - 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

下降时间 - 128 ns 128 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 1.5 W 1.5 W

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.38 mm 2.38 mm

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -