锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

UF28100H、BLF246B,112、UF28100M对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UF28100H BLF246B,112 UF28100M

描述 射频功率MOSFET晶体管100W , 100-500兆赫, 28V RF Power MOSFET Transistor 100W, 100-500 MHz, 28VTrans RF MOSFET N-CH 65V 8A 8Pin CDFM Bulk射频MOSFET功率晶体管, lOOW , 28V 100 - 500兆赫 RF MOSFET Power Transistor, lOOW, 28V 100 - 500 MHz

数据手册 ---

制造商 M/A-Com NXP (恩智浦) M/A-Com

分类 晶体管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Screw Screw

引脚数 - 8 5

封装 - SOT-161 -

频率 100MHz ~ 500MHz 175 MHz -

额定电流 - 8 A -

输出功率 100 W 60 W -

增益 10 dB 19 dB -

测试电流 600 mA 50 mA -

输入电容(Ciss) - 125pF @28V(Vds) -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 130000 mW 250000 mW

额定电压 65 V - -

封装 - SOT-161 -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -