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IRFS41N15D、STB75NF20对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS41N15D STB75NF20

描述 Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3Pin (2+Tab) D2PAKN 通道 STripFET™,STMicroelectronics

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 - TO-263-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.028 Ω

极性 - N-Channel

耗散功率 - 190 W

阈值电压 - 3 V

漏源极电压(Vds) 150 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V

连续漏极电流(Ids) 41.0 A 47.0 A, 75.0 A

上升时间 63.0 ns 33 ns

输入电容(Ciss) - 3260pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 190 W

下降时间 - 29 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -50 ℃

耗散功率(Max) - 190W (Tc)

额定电压(DC) 150 V -

额定电流 41.0 A -

产品系列 IRFS41N15D -

长度 - 10.4 mm

宽度 - 9.35 mm

高度 - 4.6 mm

封装 - TO-263-3

工作温度 - -50℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99