BSC080N03LSGATMA1、STL100NH3LL、FDMS7692A对比区别

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型号 BSC080N03LSGATMA1 STL100NH3LL FDMS7692A

描述 INFINEON  BSC080N03LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 VN沟道30 V - 0.0032 Ω - 25 A - PowerFLAT ™ （引脚6x5 ）的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 30 V - 0.0032 Ω - 25 A - PowerFLAT™ (6x5) STripFET™ III Power MOSFETN沟道MOSFET的PowerTrench 30 V ， 8毫欧 N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 8 mΩ

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-TDSON-8 PowerFLAT-5x6-8 Power-56-8

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 100 A -

通道数 1 1 1

漏源极电阻 0.0067 Ω 0.0032 Ω 0.0068 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 35 W 80 W 2.5 W

阈值电压 2.2 V 2.5 V 2 V

输入电容 - 4.45 nF -

栅电荷 - 40.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 14A 100 A 13.5A

上升时间 2.8 ns 50 ns 2.7 ns

输入电容(Ciss) 1300pF @15V(Vds) 4450pF @25V(Vds) 1350pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 4 W 2.5 W

下降时间 2.6 ns 8 ns 2.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 35W (Tc) 80W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc)

额定功率 35 W - -

针脚数 8 - -

长度 5.9 mm 5 mm 6 mm

宽度 5.15 mm 6 mm 5 mm

高度 1.27 mm 0.81 mm 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8 PowerFLAT-5x6-8 Power-56-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15