IRF830、IRF830PBF、BUZ215对比区别

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型号 IRF830 IRF830PBF BUZ215

描述 N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFETVISHAY SILICONIX  IRF830PBF  场效应管, MOSFET, N沟道SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET)

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix Siemens Semiconductor (西门子)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 4.50 A - -

耗散功率 100 W 74 W -

输入电容 610 pF - -

栅电荷 30.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 4.50 A - -

上升时间 8 ns 16 ns -

输入电容(Ciss) 610pF @25V(Vds) 610pF @25V(Vds) -

下降时间 5 ns 16 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 100W (Tc) 74W (Tc) -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 1.5 Ω -

阈值电压 - 4 V -

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 9.15 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free