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AFT23S160W02GSR3、MRF8P23160WHR3、MRF6S24140HSR3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AFT23S160W02GSR3 MRF8P23160WHR3 MRF6S24140HSR3

描述 Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin NI-780GS T/RSingle W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2300-2400MHz, 30W Avg., 28VCW Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2450MHz, 140W, 28V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 5 3

封装 NI-780GS-2L NI-780-4 NI-880S

频率 2.4 GHz 2.32 GHz 2.39 GHz

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

输出功率 45 W 30 W 28 W

增益 17.9 dB 14.1 dB 15.2 dB

测试电流 1.1 A 600 mA 1.3 A

工作温度(Max) 125 ℃ 225 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V 68 V

额定电压(DC) - - 28.0 V

额定电流 - - 10 µA

极性 - - N-Channel

漏源极电压(Vds) - - 68.0 V

高度 - 4.32 mm -

封装 NI-780GS-2L NI-780-4 NI-880S

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99