70T651S10BFG、IDT70T651S10DR、70T651S10BFG8对比区别

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型号 70T651S10BFG IDT70T651S10DR 70T651S10BFG8

描述 静态随机存取存储器 256K x 36 Async 3.3V 2.5V Dual-Port RAMHIGH -SPEED 2.5V 256 / 128K ×36异步双口静态RAM为3.3V 0R 2.5V接口 HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACESRAM 256K x 36 Async 3.3V 2.5V Dual-Port RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

引脚数 208 - 208

封装 CABGA-208 QFP-208 CABGA-208

安装方式 - Surface Mount -

长度 15 mm - 15 mm

宽度 15 mm - 15 mm

高度 1.4 mm - 1.4 mm

封装 CABGA-208 QFP-208 CABGA-208

厚度 1.40 mm - 1.40 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -

ECCN代码 - 3A991 -