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BZV55-C13,115、BZV55C12 L1、BZV55-C13对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-C13,115 BZV55C12 L1 BZV55-C13

描述 NXP  BZV55-C13,115  单管二极管 齐纳, 13 V, 400 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C500mW,BZV55C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:微型 MELF (JEDEC DO-213AC) ### 齐纳二极管,Taiwan SemiconductorNXP  BZV55-C13  单管二极管 齐纳, 13 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Taiwan Semiconductor (台湾半导体) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-80 SOD-80 SOD-80

耗散功率 400 mW 500 mW 500 mW

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 13 V 12 V 13 V

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

容差 ±5 % - -

针脚数 2 - 2

正向电压 900mV @10mA - -

正向电压(Max) 900mV @10mA - -

额定功率(Max) 500 mW - -

长度 3.7 mm 3.7 mm -

封装 SOD-80 SOD-80 SOD-80

宽度 1.6 mm - -

高度 1.6 mm - -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

产品生命周期 Active - Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

工作温度 -65℃ ~ 200℃ - -

温度系数 9.4 mV/K - -