BFR193WE6327、BFS520,115、BFR193W对比区别

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型号 BFR193WE6327 BFS520,115 BFR193W

描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPNNXP SemiconductorsBFR193W NPN三极管 20V 80mA 8Ghz 50~200 SOT-323/SC-70 marking/标记 RC 低噪声，高增益放大器

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-323 SOT-323-3 SOT-323

额定电压(DC) 12.0 V - -

额定电流 65.0 mA - -

输入电容 1.8 pF - -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 580 mW 300 mW -

极性 - NPN -

耗散功率 - 300 mW -

增益频宽积 - 9000 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V -

增益 - 13dB ~ 14dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @20mA, 6V -

最大电流放大倍数(hFE) - 60 -

额定功率(Max) - 300 mW -

封装 SOT-323 SOT-323-3 SOT-323

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm -

材质 Silicon - -

工作温度 - 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free