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BC847CW、BC849CW、BC847,235对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847CW BC849CW BC847,235

描述 Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 200mW; SOT323BC849CW NPN三极管 30V 100mA/0.1A 250MHz 420~800 200mV/0.2V SOT-323/SC-70 marking/标记 2CTO-236AB NPN 45V 0.1A

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-323 SOT-323-3-1 SOT-23-3

耗散功率 200 mW - 0.25 W

增益频宽积 100 MHz - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 200 mW - 250 mW

频率 - - 100 MHz

极性 - - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - - 45 V

集电极最大允许电流 - - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - - 110 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) - - 250 mW

封装 SOT-323 SOT-323-3-1 SOT-23-3

材质 Silicon - -

工作温度 - - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active End of Life Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free