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IR2101SPBF、IR2101STRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2101SPBF IR2101STRPBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2101SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC-8 新INFINEON  IR2101STRPBF  芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 10.0V (min) 10.0V (min)

工作电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V

输出接口数 2 2

输出电压 ≥10.0 V 10V ~ 20V

针脚数 8 8

耗散功率 625 mW 0.625 W

产品系列 IR2101 -

上升时间 170ns (Max) 170 ns

下降时间 90ns (Max) 90 ns

下降时间(Max) 90 ns 90 ns

上升时间(Max) 170 ns 170 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V

电源电压(Min) 10 V 10 V

上升/下降时间 - 100ns, 50ns

输出电流 - 210 mA

通道数 - 2

静态电流 - 270 µA

长度 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99