CY7C1414KV18-250BZC、CY7C1414KV18-250BZI、CY7C1414KV18-250BZCT对比区别

高亮显示差异参数

型号 CY7C1414KV18-250BZC CY7C1414KV18-250BZI CY7C1414KV18-250BZCT

描述 36 - Mbit的QDR ？ II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165Pin FBGA T/R

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

供电电流 730 mA - -

时钟频率 250 MHz - -

位数 36 36 36

存取时间 1 ms 0.45 ns -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V 1.9 V -

电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V -

高度 0.89 mm 0.89 mm -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991 -