STW35N65M5、STW38N65M5、APT38N60BC6对比区别

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型号 STW35N65M5 STW38N65M5 APT38N60BC6

描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsÇ超级结MOSFET C Super Junction MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.073 Ω -

极性 - N-CH -

耗散功率 160 W 190 W 278 W

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 30A -

上升时间 12 ns 9 ns 29 ns

输入电容(Ciss) 3750pF @100V(Vds) 3000pF @100V(Vds) 2826pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 160 W 190 W 278 W

下降时间 16 ns 9 ns 69 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 160W (Tc) 190W (Tc) 278W (Tc)

长度 15.75 mm 15.75 mm -

宽度 5.15 mm 5.15 mm -

高度 20.15 mm 20.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -