IRL540NS、IRL540NSPBF、IRL540NSTRLPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRL540NS IRL540NSPBF IRL540NSTRLPBF

描述 D2PAK N-CH 100V 36AINFINEON  IRL540NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 2 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - 3.8 W 3.8 W

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.044 Ω 0.044 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 3.8 W 3.8 W

阈值电压 - 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V -

连续漏极电流(Ids) 36.0 A 36A 36A

上升时间 81 ns 81 ns 81 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)

下降时间 62 ns 62 ns 62 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3800 mW 3.8W (Ta), 140W (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc)

输入电容 - - 1800 pF

额定功率(Max) - - 3.8 W

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 36.0 A - -

产品系列 IRL540NS - -

长度 - 10.67 mm 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm 11.3 mm

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Obsolete Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free