PSMN4R0-30YL、PSMN4R0-30YL,115对比区别

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型号 PSMN4R0-30YL PSMN4R0-30YL,115

描述 NXP  PSMN4R0-30YL  晶体管, MOSFET, N沟道, 99 A, 30 V, 2.72 mohm, 10 V, 1.7 VTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 -

封装 SOT-669 SOT-669

针脚数 4 -

漏源极电阻 2.72 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 69 W 69 W

阈值电压 1.7 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 99.0 A 100 A

工作温度(Max) 150 ℃ -

输入电容(Ciss) - 2090pF @12V(Vds)

额定功率(Max) - 69 W

耗散功率(Max) - 69W (Tc)

输入电容 - -

上升时间 - -

下降时间 - -

工作温度(Min) - -

封装 SOT-669 SOT-669

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)