PSMN4R0-30YL、PSMN4R0-30YL,115对比区别
型号 PSMN4R0-30YL PSMN4R0-30YL,115
描述 NXP PSMN4R0-30YL 晶体管, MOSFET, N沟道, 99 A, 30 V, 2.72 mohm, 10 V, 1.7 VTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 -
封装 SOT-669 SOT-669
针脚数 4 -
漏源极电阻 2.72 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 69 W 69 W
阈值电压 1.7 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 99.0 A 100 A
工作温度(Max) 150 ℃ -
输入电容(Ciss) - 2090pF @12V(Vds)
额定功率(Max) - 69 W
耗散功率(Max) - 69W (Tc)
输入电容 - -
上升时间 - -
下降时间 - -
工作温度(Min) - -
封装 SOT-669 SOT-669
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)