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VF20120S-E3/45、VF20120S-E3/4W对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VF20120S-E3/45 VF20120S-E3/4W

描述 DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

正向电压 1.12V @20A 1.12V @20A

正向电压(Max) 1.12V @20A 1.12V @20A

输出电流 ≤20.0 A -

极性 Standard -

封装 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free