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MCP14E8-E/SN、MCP14E7-E/P、MCP14E8T-E/SN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP14E8-E/SN MCP14E7-E/P MCP14E8T-E/SN

描述 MICROCHIP  MCP14E8-E/SN.  芯片, MOSFET驱动器, SOIC-8MICROCHIP  MCP14E7-E/P  驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 2A输出, 45ns延迟, DIP-82.0 A 双 高速 功率 MOSFET 驱动器 带使能 采用8-SOIC 150 mil 封装

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.50V (min) 4.50V (min) 4.50V (min)

上升/下降时间 12ns, 15ns 12ns, 15ns 12ns, 15ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 699 mW 1120 mW 669 mW

下降时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

上升时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 669 mW 1120 mW 669 mW

电源电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V

工作电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V -

输出电压 18 V - -

输出电流 2 A 2 A -

通道数 2 2 -

针脚数 8 8 -

输入电流 1 µA - -

上升时间 35ns (Max) 35ns (Max) -

下降时间 40ns (Max) 40ns (Max) -

电源电压(Max) 18 V 18 V -

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V -

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 10.16 mm -

宽度 3.9 mm 7.11 mm -

高度 1.25 mm 4.95 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -