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AS7C31026B-12JIN、CY7C1021V33-12VC、IS61LV6416-12KL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS7C31026B-12JIN CY7C1021V33-12VC IS61LV6416-12KL

描述 静态随机存取存储器 1M, 3.3V, 12ns, FAST 64K x 16 Asynch 静态随机存取存储器SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJSRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJ

数据手册 ---

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 32 - 44

封装 SOJ-44 SOJ SOJ-44

电源电压(DC) 3.00V (min) - 3.30 V, 3.60 V (max)

工作电压 3V ~ 3.6V - -

存取时间 12 ns - 12 ns

内存容量 125000 B - 1000000 B

工作温度(Max) 85 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3.3 V 3.135V ~ 3.6V

位数 - - 16

存取时间(Max) - - 12 ns

电源电压(Max) - - 3.63 V

电源电压(Min) - - 2.97 V

封装 SOJ-44 SOJ SOJ-44

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Not Recommended

包装方式 Each - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - - EAR99