锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

D44H11、D44H11TU、KSE44H11TU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 D44H11 D44H11TU KSE44H11TU

描述 STMICROELECTRONICS  D44H11  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 W, 10 A, 60 hFENPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSE44H11TU  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 MHz, 1.67 W, 10 A, 60 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 50 MHz 50 MHz

额定电压(DC) 80.0 V - 80.0 V

额定电流 10.0 A - 10.0 A

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 50000mW 1.67 W 1.67 W

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 80 V

集电极最大允许电流 - 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @4A, 1V 60 @2A, 1V

额定功率(Max) - 60 W 1.67 W

直流电流增益(hFE) - 60 60

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 50 W 50 W

最大电流放大倍数(hFE) - 60 @2A, 1V -

长度 - 10.67 mm 9.9 mm

宽度 - 4.83 mm 4.5 mm

高度 - 9.4 mm 9.2 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

材质 - - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Rail

RoHS标准 Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -