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JAN1N5518C-1、JANTX1N5518C-1、1N5518C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5518C-1 JANTX1N5518C-1 1N5518C

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW3.3V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Aeroflex (艾法斯)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-204AH DO-204AH -

容差 ±2 % ±2 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

稳压值 3.3 V 3.3 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

封装 DO-204AH DO-204AH -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

RoHS标准 -

含铅标准 -