BTS117、VNP5N07、PIP3115-B,118对比区别

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型号 BTS117 VNP5N07 PIP3115-B,118

描述 INFINEON  BTS117..  场效应管, MOSFET, LOGIC SMART SWITCH TO-220 [ROHS Substitute: 1156427]？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETTrans MOSFET N-CH 50V 8A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 电源管理FET驱动器MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

电源电压(DC) 1.30V (min) - -

额定电压(DC) 60.0 V 70.0 V -

额定电流 3.50 A 5.00 A -

输出接口数 1 1 1

输入电压(DC) 60.0 V - -

输出电流 3.5 A - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 100 mΩ 200 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 50000 mW 31000 mW 40 W

漏源极电压(Vds) 60 V - -

连续漏极电流(Ids) 3.50 A 5.00 A -

输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A 8 A

输出电流(Min) 3.5 A - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 50000 mW 31000 mW -

电源电压 2.2V ~ 10V - -

电源电压(Max) 10 V - -

电源电压(Min) 1.3 V - -

输入电压 60 V - -

上升时间 - 60.0 ns 20000 ns

下降时间 - - 16000 ns

漏源击穿电压 - 70.0 V -

输入数 - 1 -

长度 10 mm - 10.3 mm

宽度 4.4 mm - 9.4 mm

高度 15.65 mm - 4.5 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

厚度 4.40 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -