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IRGP50B60PD1、IRGP50B60PD1-EP、IRGP50B60PD1PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGP50B60PD1 IRGP50B60PD1-EP IRGP50B60PD1PBF

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 390000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC TubeTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 390000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD TubeINFINEON  IRGP50B60PD1PBF  单晶体管, IGBT, 75 A, 2.35 V, 390 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-3-3 TO-247-3

额定功率 - 390 W 390 W

耗散功率 - 390000 mW 390 W

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V 600 V

反向恢复时间 - 42 ns 42 ns

额定功率(Max) - 390 W 390 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 390000 mW 390000 mW 390000 mW

针脚数 - - 3

极性 - - N-Channel

输入电容 - - 3648 pF

上升时间 - - 10.0 ns

热阻 - - 40 ℃/W

封装 TO-247 TO-3-3 TO-247-3

长度 - - 15.9 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 20.3 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99