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VRF148A、BLF175,112对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VRF148A BLF175,112

描述 射频功率MOSFET垂直 RF POWER VERTICAL MOSFETTrans RF MOSFET N-CH 125V 4A 4Pin SOT-123A Bulk

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Ampleon USA

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 4 4

封装 M113 SOT-123

安装方式 Screw -

频率 175 MHz 108 MHz

额定电流 6 A 4 A

耗散功率 115000 mW 68000 mW

输出功率 30 W 30 W

增益 16 dB 20 dB

测试电流 100 mA 30 mA

输入电容(Ciss) 160pF @50V(Vds) 130pF @50V(Vds)

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 115000 mW 68000 mW

额定电压 170 V 125 V

封装 M113 SOT-123

材质 Silicon Silicon

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Box Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -