IRFZ44RPBF、STP36NF06L、IRFB3806PBF对比区别

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型号 IRFZ44RPBF STP36NF06L IRFB3806PBF

描述 VISHAY  IRFZ44RPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 28 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STP36NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 VINFINEON  IRFB3806PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 60 V, 0.0126 ohm, 20 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.028 Ω 0.032 Ω 0.0126 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 150 W 70 W 71 W

阈值电压 4 V 2.5 V 4 V

输入电容 1900pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 30.0 A 43A

上升时间 110 ns 80 ns 40 ns

下降时间 92 ns 13 ns 47 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - 70 W 71 W

通道数 - 1 1

漏源击穿电压 - 60.0 V 60 V

输入电容(Ciss) - 660pF @25V(Vds) 1150pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 70 W 71 W

耗散功率(Max) - 70W (Tc) 71W (Tc)

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 30.0 A -

栅源击穿电压 - ±18.0 V -

长度 10.51 mm 10.4 mm 10.66 mm

高度 15.49 mm 9.15 mm 9.02 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.6 mm 4.82 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

包装方式 Tube Tube Tube

产品生命周期 - Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -