IRFZ44RPBF、STP36NF06L、IRFB3806PBF对比区别
型号 IRFZ44RPBF STP36NF06L IRFB3806PBF
描述 VISHAY IRFZ44RPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 28 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP36NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 VINFINEON IRFB3806PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 60 V, 0.0126 ohm, 20 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.028 Ω 0.032 Ω 0.0126 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 150 W 70 W 71 W
阈值电压 4 V 2.5 V 4 V
输入电容 1900pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 50.0 A 30.0 A 43A
上升时间 110 ns 80 ns 40 ns
下降时间 92 ns 13 ns 47 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定功率 - 70 W 71 W
通道数 - 1 1
漏源击穿电压 - 60.0 V 60 V
输入电容(Ciss) - 660pF @25V(Vds) 1150pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 70 W 71 W
耗散功率(Max) - 70W (Tc) 71W (Tc)
额定电压(DC) - 60.0 V -
额定电流 - 30.0 A -
栅源击穿电压 - ±18.0 V -
长度 10.51 mm 10.4 mm 10.66 mm
高度 15.49 mm 9.15 mm 9.02 mm
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - 4.6 mm 4.82 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 - Active Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -